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RF3L05150CB4

Name: STMicroelectronics RF3L05150CB4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-RF3L05150CB4
Price: 128.35 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-RF3L05150CB4

Fabr. N.º:

RF3L05150CB4

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistores RF MOSFET 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

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Hoja de datos:

RF3L05150CB4 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistores RF MOSFET
RoHS:
Polaridad de transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id: corriente de drenaje continuo:	2.5 A
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	28 V
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1 Ohms
Frecuencia de operación:	945 MHz
Ganancia:	16 dB
Energía de salida:	150 W
Temperatura operativa máxima:	+ 200 C
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	LBB-4
Empaquetado:	Reel
Marca:	STMicroelectronics
Número de canales:	1 Channel
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	100
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Peso unitario:	2,400 g

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Hoja de datos

RF3L05150CB4 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor

STMicroelectronics RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor is a 150W, 28/32V LDMOS FET designed for wide-band communication and ISM applications. The STM RF3L05150CB4 LDMOS Transistor is designed for applications with frequencies from HF to 1GHz. The RF3L05150CB4 can be used in class AB, B, or C for all typical modulation formats.

LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.