MASTERGAN3TR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN3TR
MASTERGAN3TR

Fabr.:

Descripción:
Controlador de puerta High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

Modelo ECAD:
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En existencias: 461

Existencias:
461 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Las cantidades mayores que 461 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
4,39 € 4,39 €
3,73 € 37,30 €
3,57 € 89,25 €
3,41 € 341,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
2,82 € 8.460,00 €
6.000 Cotización
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controlador de puerta
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
4 Output
4 A, 6.5 A
4.75 V
9.5 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: Gate Drivers
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: GaN
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.