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MASTERGAN2TR

Name: STMicroelectronics MASTERGAN2TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN2TR
Price: 5.78 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-MASTERGAN2TR

Fabr. N.º:

MASTERGAN2TR

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Controlador de puerta High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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-,-- €

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-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	5,78 €	5,78 €
	4,45 €	44,50 €
	4,11 €	102,75 €
	3,75 €	375,00 €
	3,58 €	895,00 €
	3,47 €	1.735,00 €
	3,38 €	3.380,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	3,17 €	9.510,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

MASTERGAN2

Embalaje:

Tray

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

10,79 €

Min:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Producto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	10 A
Tensión del suministro - Mín:	3.3 V
Tensión del suministro - Máx:	15 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

MASTERGAN2TR Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an R_DS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.