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GANSPIN612TR

Name: STMicroelectronics GANSPIN612TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-GANSPIN612TR
Price: 6.25 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-GANSPIN612TR

Fabr. N.º:

GANSPIN612TR

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Controladores y unidades para motores / movimiento / ignición High-voltage half-bridge GaN motor driver

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Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	6,25 €	6,25 €
	4,82 €	48,20 €
	4,46 €	111,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	4,46 €	13.380,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controladores y unidades para motores / movimiento / ignición
RoHS:
Producto:	Motor Driver
Corriente de salida:	5.5 A
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-35
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de salidas:	1 Output
Frecuencia de operación:	200 kHz
Tipo de producto:	Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Serie:	MASTERGAN6
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tensión del suministro - Máx:	18 V
Tensión del suministro - Mín:	10.7 V
Nombre comercial:	GaNSPIN
Peso unitario:	150 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Singapúr
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

GANSPIN612 Half-Bridge GaN Motor Driver

STMicroelectronics GANSPIN612 Half-Bridge GaN Motor Driver is an advanced power system-in-package (SiP) integrating two enhancement mode GaN transistors in a half-bridge configuration driven by a state-of-the-art high-voltage, high-frequency gate driver. The integrated power GaNs have R_DS(ON) of 270mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage, while the integrated bootstrap diode can easily supply the high-side of the embedded gate driver.