EVSTDRIVEG600DM

STMicroelectronics
511-EVSTDRIVEG600DM
EVSTDRIVEG600DM

Fabr.:

Descripción:
Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Demonstration board for STDRIVEG600 600V half-bridge high-speed gate driver

Disponibilidad

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No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
Mínimo: 1   Múltiples: 1
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73,05 € 73,05 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía
RoHS:  
Demonstration Boards
Gate Driver
4.75 V to 20 V
STDRIVEG600
Marca: STMicroelectronics
Empaquetado: Bulk
Tipo de producto: Power Management IC Development Tools
Cantidad del paquete de fábrica: 1
Subcategoría: Development Tools
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8473302000
USHTS:
9030890100
ECCN:
EAR99

EVSTDRIVEG600DM Demonstration Board

STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DM Demonstration Board provides a Half-Bridge topology reference design pairing the STDRIVEG600 Gate Driver with an MDmesh™ DM2 Power MOSFET. The STDRIVEG600 is a single-chip half-bridge gate driver for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V.