EVLSTDRIVEG212

STMicroelectronics
511-EVLSTDRIVEG212
EVLSTDRIVEG212

Fabr.:

Descripción:
Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Evaluation board for STDRIVEG212 220 V high-speed half-bridge gate driver with 2.2 mOhms, 100 V e-mode GaN HEMT

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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía
Evaluation Boards
Gate Driver
12 V
STDRIVEG212
Marca: STMicroelectronics
Dimensiones: 56 mm x 79 mm
Empaquetado: Bulk
Tipo de producto: Power Management IC Development Tools
Cantidad del paquete de fábrica: 1
Subcategoría: Development Tools
Peso unitario: 100 g
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TARIC:
8473302000
USHTS:
8473301180

EVLSTDRIVEG212 Evaluation Board

STMicroelectronics EVLSTDRIVEG212 Evaluation Board is easy to use, as well as quick and suitable for evaluating the characteristics of the STDRIVEG212 driving two 2.2mΩ (typical), 100V emode GaN switches in a half-bridge configuration. The STDRIVEG212 is a 220V high-speed half-bridge gate driver optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. It features separated high-current sink/source gate driving pins, integrated LDOs, undervoltage, bootstrap diode, high-side fast startup, overtemperature, fault/shutdown pins, and standby to fully support hard-switching topologies in a 4mm x 5mm QFN package. The EVLSTDRIVEG212 board is also suitable for evaluating the STDRIVEG612 features.