Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

TP65H300G4LSG

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

227-TP65H0300G4LSG

Fabr. N.º:

TP65H300G4LSG

Fabr.:

Renesas Electronics

Descripción:

FET de GaN GAN FET 650V 6.5A PQFN88

Ciclo de vida:

Disponibilidad limitada:

Este número de referencia ya no está disponible en Mouser. El producto puede tener la distribución limitada o estar en un pedido especial de fábrica.

Hoja de datos:

TP65H300G4LSG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Alerta de envío:

Actualmente Mouser no vende este producto en su región.

Disponibilidad

Existencias:: Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

TP65H300G4LSG-TR

Embalaje:

Reel, Cut Tape

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

4,23 €

Min:

Producto similar

Fabr.:

Renesas Electronics

Fabr. N.º:

TP65H300G4LSG-TR

Descripción:

FET de GaN 650V, 240mOhm

Ciclo de vida:

Disponibilidad limitada: Este número de referencia ya no está disponible en Mouser. El producto puede tener la distribución limitada o estar en un pedido especial de fábrica.

Comparar con pieza actual

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	FET de GaN
Restricciones de envío:	Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PQFN-8x8-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	6.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	312 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 18 V, + 18 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.6 V
Qg (carga de compuertas):	9.6 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	21 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
Tiempo de caída:	10 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	3.4 ns
Serie:	TP65H
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tiempo típico de retraso de apagado:	53 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	19.4 ns
Peso unitario:	4,096 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

TP65H300G4LSG Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.