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TP65H070G4LSGBA-TR

Name: Renesas Electronics TP65H070G4LSGBA-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-P65H070G4LSGBATR
Price: 2.68 EUR
Availability: OutOfStock

Mouser REF:

227-P65H070G4LSGBATR

Fabr. N.º:

TP65H070G4LSGBA-TR

Fabr.:

Renesas Electronics

Descripción:

FET de GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
Empaquetado:	Reel
Producto:	GaN FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

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Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.