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TP65H050WS

Name: Renesas Electronics TP65H050WS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050WS
Price: 17.27 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

227-TP65H050WS

Fabr. N.º:

TP65H050WS

Fabr.:

Renesas Electronics

Ciclo de vida:

Descatalogado:

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Tarifa estimada:

Fabr.:

Renesas Electronics

Fabr. N.º:

TP65H050G4WS

Descripción:

FET de GaN 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	36 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	60 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.3 V
Qg (carga de compuertas):	24 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	119 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Renesas Electronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	11 ns
Serie:	TP65H
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tiempo típico de retraso de apagado:	86 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	51 ns
Peso unitario:	6 g