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TP65H035G4WSQA

Name: Renesas Electronics TP65H035G4WSQA
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H035G4WSQA
Price: 17.22 EUR
Availability: LimitedAvailability

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Mouser REF:

227-TP65H035G4WSQA

Fabr. N.º:

TP65H035G4WSQA

Fabr.:

Renesas Electronics

Descripción:

FET de GaN GAN FET 650V 46.5A TO247

Ciclo de vida:

Disponibilidad limitada:

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	17,22 €	17,22 €
	13,64 €	136,40 €
	12,24 €	1.468,80 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	47.2 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	41 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.8 V
Qg (carga de compuertas):	22 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	187 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	10 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tiempo típico de retraso de apagado:	94 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	60 ns

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Automotive (AEC-Q101) Qualified GaN FETs

Renesas Electronics Automotive (AEC-Q101) Qualified GaN FETs are normally-off devices that offer superior reliability and performance. The devices combine state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies. The series offers improved efficiency over silicon through lower gate charge and crossover loss, and smaller reverse recovery charge. Renesas Electronics Automotive (AEC-Q101) Qualified GaN FETs are ideal for automotive, datacom, PV inverters, and industrial applications.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

TP65H035G4WSQA 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H035G4WSQA 650V SuperGaN® FET is a normally-off device using Renesas Electronics's Gen IV platform. It combines a state-of-the-art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET. The device offers superior reliability and performance, and with the SuperGaN® platform, it uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability. This improves efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge.