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TP65H035G4WS

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Mouser REF:

227-TP65H035G4WS

Fabr. N.º:

TP65H035G4WS

Fabr.:

Renesas Electronics

Descripción:

FET de GaN 650V, 35mOhm

Ciclo de vida:

Disponibilidad limitada:

Este número de referencia ya no está disponible en Mouser. El producto puede tener la distribución limitada o estar en un pedido especial de fábrica.

Hoja de datos:

TP65H035G4WS Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Actualmente Mouser no vende este producto en su región.

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	FET de GaN
Restricciones de envío:	Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	46.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	41 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.8 V
Qg (carga de compuertas):	22 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	156 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	10 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tiempo típico de retraso de apagado:	94 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	60 ns
Peso unitario:	6 g

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Hoja de datos

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RoHS Certificate (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

650V GaN FETs in TO-247 Packages

Renesas Electronics 650V GaN FETs in TO-247 Packages combine state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies. The devices offer superior reliability and performance with improved efficiency over silicon. Renesas Electronics FETs have a lower gate charge, lower crossover loss, and a smaller reverse recovery charge.