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RM8N650IP

Name: Rectron RM8N650IP
Brand: Rectron
SKU: 583-RM8N650IP
Price: 0.67 EUR
Availability: OutOfStock

Mouser REF:

583-RM8N650IP

Fabr. N.º:

RM8N650IP

Fabr.:

Rectron

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Rectron
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-251-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	8 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	540 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	22 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	80 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Rectron
Tiempo de caída:	6.5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	5.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3.5 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	55 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5.5 ns
Peso unitario:	340 mg