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SCT4013DRC15

Name: ROHM Semiconductor SCT4013DRC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4013DRC15
Price: 29.89 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-SCT4013DRC15

Fabr. N.º:

SCT4013DRC15

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC

Hoja de datos:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	29,89 €	29,89 €
	22,94 €	229,40 €
	22,05 €	2.205,00 €
	22,03 €	9.913,50 €
900	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	750 V
Id: corriente de drenaje continuo:	105 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	16.9 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 4 V, + 21 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.8 V
Qg (carga de compuertas):	170 nC
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	312 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	17 ns
Transconductancia delantera: mín.:	32 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFET's
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	32 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	82 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17 ns
Alias de parte #:	SCT4013DR

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

SCT4013DR N-Channel SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4013DR N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET is a high-performance device designed for demanding power electronics applications. Featuring a drain-source voltage rating of 750V and a 105A continuous drain current (at +25°C), this device offers exceptional efficiency and thermal performance. The low on-resistance of 13mΩ (typical) and fast switching characteristics make the ROHM SCT4013DR ideal for high-frequency applications such as power supplies, inverters, and motor drives. The SCT4013DR also benefits from the inherent advantages of SiC technology, including a high breakdown voltage, low switching losses, and superior thermal conductivity, which contribute to reduced system size and improved reliability. Packaged in a TO-247-4L case, the MOSFET supports robust thermal management and ease of integration into existing designs.

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.