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SCT3030AW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT3030AW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT3030AW7TL
Price: 28.21 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-SCT3030AW7TL

Fabr. N.º:

SCT3030AW7TL

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET de SiC TO263 650V 70A N-CH SIC

Hoja de datos:

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	28,21 €	28,21 €
	25,06 €	250,60 €
	24,01 €	2.401,00 €
	24,00 €	12.000,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	24,00 €	24.000,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-263-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	70 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	39 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 4 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.6 V
Qg (carga de compuertas):	104 nC
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	267 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	21 ns
Transconductancia delantera: mín.:	9.4 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	MOSFET's
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	22 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	27 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7 ns
Alias de parte #:	SCT3030AW7
Peso unitario:	1,600 g

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Tailandia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure to reduce ON resistance by 50% and input capacitance by 35% over planar-type SiC MOSFETs. The MOSFETs include an additional pin that separates the driver and power source pins, eliminating the inductance component's effects in reducing Vgs, ensuring faster switching speeds. The ROHM Semiconductor Trench-Type MOSFETs feature a high voltage resistance, low ON resistance, fast switching speed, simple to drive, and easy to parallel.