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RS1E320GNTB

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Mouser REF:

755-RS1E320GNTB

Fabr. N.º:

RS1E320GNTB

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Ciclo de vida:

NRND:

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Modelo ECAD:

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Fabr.:

ROHM Semiconductor

Fabr. N.º:

RS1E321GNTB1

Descripción:

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 32.1A(Id), (4.5V Drive)

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HSOP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	32 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.9 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	42.8 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	3 W
Empaquetado:	Reel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	28.5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	35 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	15.6 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	74.6 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	21.8 ns
Alias de parte #:	RS1E320GN
Peso unitario:	771,020 mg