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RQ6P020ATTCR

Name: ROHM Semiconductor RQ6P020ATTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ6P020ATTCR
Price: 0.78 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RQ6P020ATTCR

Fabr. N.º:

RQ6P020ATTCR

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

Hoja de datos:

RQ6P020ATTCR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	0,783 €	0,78 €
	0,557 €	5,57 €
	0,373 €	37,30 €
	0,288 €	144,00 €
	0,261 €	261,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,225 €	675,00 €
	0,208 €	1.248,00 €
	0,195 €	1.755,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-457T-6
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	220 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	24 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.25 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	30 ns
Transconductancia delantera: mín.:	3.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	11 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	83 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8.9 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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