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RQ3L070ATTB

Name: ROHM Semiconductor RQ3L070ATTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3L070ATTB
Price: 1.74 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RQ3L070ATTB

Fabr. N.º:

RQ3L070ATTB

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET HSMT8 P-CH 60V 25A

Hoja de datos:

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Pedido:: 3.000

Fecha prevista: 13/04/2026

6.000

Fecha prevista: 14/05/2026
Plazo de producción de fábrica:: 16

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,74 €	1,74 €
	1,11 €	11,10 €
	0,75 €	75,00 €
	0,596 €	298,00 €
	0,55 €	550,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,482 €	1.446,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HSMT-8
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	25 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	28 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	48 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	20 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	110 ns
Transconductancia delantera: mín.:	9 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	37 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	125 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns
Alias de parte #:	RQ3L070AT

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RQ3L070AT P-Channel -60V -25A Power MOSFET

ROHM Semiconductor RQ3L070AT P-Channel -60V -25A Power MOSFET is a low on-resistance device housed in a high-power small mold package (HSMT8). The RQ3L070AT features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs are also halogen-free.