RD3N06BATTL1

ROHM Semiconductor
755-RD3N06BATTL1
RD3N06BATTL1

Fabr.:

Descripción:
MOSFET Pch -80V -60A TO-252, Power MOSFET

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 2.041

Existencias:
2.041 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
2,57 € 2,57 €
1,67 € 16,70 €
1,15 € 115,00 €
0,963 € 481,50 €
0,903 € 903,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
0,903 € 2.257,50 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-3
P-Channel
1 Channel
80 V
60 A
26 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
110 nC
- 55 C
+ 150 C
101 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 170 ns
Transconductancia delantera: mín.: 23 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 46 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 265 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 27 ns
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs

ROHM Semiconductor N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs with low on-resistance dissipate power up to 142W. The lineup is offered in small, high-powered packages that greatly reduce the mounting area. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified, RoHS compliant, and halogen free. Ideal applications for ROHM N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs include advanced driver assistance systems (ADAS), body, lighting, and infotainment.