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R5009FNX

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Mouser REF:

755-R5009FNX

Fabr. N.º:

R5009FNX

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Ciclo de vida:

NRND:

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Modelo ECAD:

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Fabr.:

ROHM Semiconductor

Fabr. N.º:

R6009KNXC7G

Descripción:

MOSFET TO220 600V 9A N-CH MOSFET

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220FM-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	500 V
Id: corriente de drenaje continuo:	9 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	840 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	18 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	51 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Bulk
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	40 ns
Transconductancia delantera: mín.:	4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	20 ns
Serie:	R5009FNX
Cantidad del paquete de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	50 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	24 ns
Peso unitario:	2 g