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2SCR587D3TL1

Name: ROHM Semiconductor 2SCR587D3TL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-2SCR587D3TL1
Price: 1.92 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-2SCR587D3TL1

Fabr. N.º:

2SCR587D3TL1

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistores bipolares - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 120V 3A, Power Transistor

Hoja de datos:

2SCR587D3TL1 Hoja de datos (PDF)

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Pedido:: 2.500

Fecha prevista: 17/09/2026
Plazo de producción de fábrica:: 15

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,92 €	1,92 €
	1,23 €	12,30 €
	0,83 €	83,00 €
	0,661 €	330,50 €
	0,606 €	606,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,553 €	1.382,50 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistores bipolares - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-252-3
Polaridad de transistor:	NPN
Configuración:	Single
Corriente del colector DC máxima:	3 A
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	120 V
Voltaje colector-base VCBO:	120 V
Voltaje emisor-base VEBO:	6 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	120 mV
Pd (disipación de potencia):	10 W
Producto fT para ganancia de ancho de banda:	250 MHz
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Corriente continua del colector:	3 A
Colector CC/Ganancia base hfe Min:	120 at 100 mA, 5 V
Ganancia de corriente DC hFE Máx.:	390 at 100 mA, 5 V
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Alias de parte #:	2SCR587D3

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Technical Resources

Test/Quality Data

REACH Regulation (PDF)

RoHS (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

2Sx Bipolar Junction Transistors (BJTs)

ROHM 2Sx Bipolar Junction Transistors (BJTs) are designed for use in industrial and consumer applications. These BJTs are available in both PNP and NPN polarities. The 2Sx BJT devices are housed in a variety of packages and are designed for medium power surface mount applications. The 2Sx BJTs feature a wide storage temperature (T_stg) range of -55°C to +150°C and a junction temperature (T_J) of +150°C. Typical applications include general purpose small signal amplifiers, power supplies, high-speed switching, and low-frequency amplifiers.

Standard Bipolar Transistors

ROHM Semiconductor Standard Bipolar Transistors are semiconductors that amplify analog or digital signals. The bipolar transistors amplify current, but the devices can be connected in circuits designed to amplify voltage or power. These ROHM devices are available in both PNP and NPN polarities.