MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1

RAMXEED
249-85S4MLYPNGAWERE1
MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1

Fabr.:

Descripción:
F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7 1.95V - DFN8 T&R (125?)

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 1500   Múltiples: 1500
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
10,73 € 16.095,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
RAMXEED
Categoría de producto: F-RAM
RoHS:  
4 Mbit
SPI
50 MHz
512 k x 8
DFN-8
1.7 V
1.95 V
- 40 C
+ 125 C
Reel
Marca: RAMXEED
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Voltaje operativo de suministro: 1.8 V
Tipo de producto: FRAM
Cantidad del paquete de fábrica: 1500
Subcategoría: Memory & Data Storage
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
USHTS:
8542320071
ECCN:
3A991.b.1.b.1
Clasificaciones de origen
País de origen:
Japón
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.

AEC-Q100 Compliant SPI FeRAM Family

RAMXEED AEC-Q100 Compliant SPI Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) Family is a high‑reliability lineup of nonvolatile ferroelectric memories designed for demanding automotive and industrial environments. These devices operate across a wide temperature range of -40°C to +125°C, making the devices suitable for harsh conditions commonly found in vehicles and high‑temperature equipment. Built on FeRAM technology, these RAMXEED components combine the nonvolatility of traditional EEPROM or Flash with the speed and endurance of SRAM‑like memory cells, offering exceptionally high read/write endurance (up to 1014 cycles in many automotive‑grade SPI variants), and instant, delay‑free writes that support frequent data updates without performance degradation.

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