QPD2160D

Qorvo
772-QPD2160D
QPD2160D

Fabr.:

Descripción:
Transistores RF JFET 1.60mm Pwr pHEMT

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: Transistores RF JFET
RoHS:  
pHEMT
Reel
Marca: Qorvo
Tipo de producto: RF JFET Transistors
Serie: QPD2160D
Cantidad del paquete de fábrica: 100
Subcategoría: Transistors
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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

pHEMT de GaAs discreto de 1600 µm QPD2160D

El pHEMT de GaAs discreto de 1600 µm QPD2160D de Qorvo (transistor pseudomórfico de alta movilidad de electrones) incluye una frecuencia de funcionamiento de CC a 20 GHz. El QPD2160D proporciona de forma típica 32,5 dBm de potencia de salida en P1dB con una ganancia de 10,4 dB y una eficiencia de potencia añadida del 63 % con una compresión de 1 dB. Este rendimiento hace que el QPD2160D sea adecuado para aplicaciones de alta eficiencia.