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QPD2018D

Name: Qorvo QPD2018D
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD2018D
Price: 9.93 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

772-QPD2018D

Fabr. N.º:

QPD2018D

Fabr.:

Qorvo

Descripción:

Transistores RF JFET 0.18 mm Pwr pHEMT

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	Transistores RF JFET
RoHS:
Tipo de transistor:	pHEMT
Tecnología:	GaAs
Ganancia:	14 dB
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	0.41 mm x 0.34 mm
Empaquetado:	Reel
Marca:	Qorvo
NF - Valor de ruido:	1 dB
Tipo de producto:	RF JFET Transistors
Serie:	QPD2018D
Cantidad del paquete de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors

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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

QPD2018D 180um Discrete GaAs pHEMT Die

Qorvo QPD2018D 180um Discrete GaAs pHEMT Die utilizes Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process. This proven process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions.