QPD1028

Qorvo
772-QPD1028
QPD1028

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: FET de GaN
RoHS:  
SMD/SMT
NI-780
65 V
19 A
- 40 C
+ 85 C
400 W
Marca: Qorvo
Ganancia: 19.8 dB
Sensibles a la humedad: Yes
Energía de salida: 750 W
Empaquetado: Waffle
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: QPD1028
Cantidad del paquete de fábrica: 18
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN SiC
Tipo de transistor: HEMT
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USHTS:
8541497080
ECCN:
EAR99

QPD1028 & QPD1028L 750W GaN on SiC Transistors

Qorvo QPD1028 and QPD1028L 750W GaN on SiC Transistors are discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide HEMT (High-Electron-Mobility Transistors) operating from 1.2GHz to 1.4GHz. These devices provide 59dBm of saturated output power with 18dB of large-signal gain and 70% of drain efficiency. The QPD1028 and QPD1028L Transistors are internally pre-matched for optimal performance can support both continuous wave and pulsed operations.