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PCDD10120G1_L2_00001

Name: Panjit PCDD10120G1_L2_00001
Brand: Panjit
SKU: 241-PCDD10120G1L2001
Price: 4.53 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

241-PCDD10120G1L2001

Fabr. N.º:

PCDD10120G1_L2_00001

Fabr.:

Panjit

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

Hoja de datos:

PCDD10120G1_L2_00001 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	4,53 €	4,53 €
	3,91 €	39,10 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	3,91 €	11.730,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-252AA-3
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	10 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión delantera:	1.5 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	640 A
Ir - Corriente inversa:	6 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	SiC Gen.1
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Panjit
Pd (disipación de potencia):	200 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Peso unitario:	321,700 mg

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.