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PSMN1R2-30YLDX

Name: Nexperia PSMN1R2-30YLDX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R2-30YLDX
Price: 1.72 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

771-PSMN1R2-30YLDX

Fabr. N.º:

PSMN1R2-30YLDX

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET SOT669 N-CH 30V 100A

Hoja de datos:

PSMN1R2-30YLDX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

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-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,72 €	1,72 €
	1,10 €	11,00 €
	1,01 €	50,50 €
	0,742 €	74,20 €
	0,741 €	185,25 €
	0,59 €	295,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,50 €	750,00 €
	0,478 €	1.434,00 €
	0,459 €	2.065,50 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-669-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	100 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.7 V
Qg (carga de compuertas):	32 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	194 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	25.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	31 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	38.7 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	25.3 ns
Alias de parte #:	934068235115
Peso unitario:	91,420 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NextPowerS3 MOSFETs

Nexperia NextPowerS3 MOSFETs are a high-performance 25V, 30V, and 40V MOSFET platform incorporating Nexperia superjunction technology. Nexperia NextPowerS3 devices are offered in a copper-clip LFPAK package, delivering low R_DS(on) and demonstrating a continuous current capability up to 380A. Synchronous working parameters allow NextPowerS3 MOSFETs to provide high performance and high reliability.

PSMN N-Channel MOSFETs

Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, LFPAK88, I²PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment.