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PMPB17EPX

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Mouser REF:

771-PMPB17EPX

Fabr. N.º:

PMPB17EPX

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

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Hoja de datos:

PMPB17EPX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT1220-2-8
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	11 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	21 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	47 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	13 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Tiempo de caída:	19 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	47 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	3 ns
Alias de parte #:	934664339115

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Atributos seleccionados: 0

                        
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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

PMPB17EP P-Channel Trench MOSFET

Nexperia PMPB17EP P-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) MOSFET. The PMPB17EP comes in a leadless, medium-powered DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The MOSFET is logic-level compatible and uses Trench MOSFET technology. Typical applications include charging switches for portable devices, DC to DC converters, power management in battery-driven portable devices, hard disk, and computing power management.