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BUK9Q7R0-40HJ

Name: Nexperia BUK9Q7R0-40HJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK9Q7R0-40HJ
Price: 0.72 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

771-BUK9Q7R0-40HJ

Fabr. N.º:

BUK9Q7R0-40HJ

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET BUK9Q7R0-40H/SOT8002/MLPAK33

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

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	0,222 €	111,00 €
	0,20 €	200,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,171 €	513,00 €
	0,157 €	942,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	MLPAK33-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	62 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	7 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.05 V
Qg (carga de compuertas):	23 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	53 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	12 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	16 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns
Alias de parte #:	934670281118

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

BUK9Q N-Channel Trench MOSFET

Nexperia BXK9Q29-60A N-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT8002-3 (MLPAK33) SMD plastic package using Trench MOSFET technology. This N-channel MOSFET is logic-level compatible, fast switching, and fully automotive qualified to AEC-Q101 at 175°C. The BXK9Q29-60A trench MOSFET features a 60V maximum drain-source voltage, 84A maximum peak drain current, and 27W maximum total power dissipation. This N-channel MOSFET also features a 23.7mΩ typical drain-source on-state resistance, 25mJ maximum non-repetitive drain-source avalanche energy, and 15.8A maximum non-repetitive avalanche current. The BXK9Q29-60A trench MOSFET is EU/CN RoHS-compliant. Typical applications include LED lighting, switching circuits, and DC-DC conversion.