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BC51-16PAS-QX

Name: Nexperia BC51-16PAS-QX
Brand: Nexperia
SKU: 771-BC51-16PAS-QX
Price: 0.37 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

771-BC51-16PAS-QX

Fabr. N.º:

BC51-16PAS-QX

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

Transistores bipolares - BJT BC51-16PAS-Q/SOT1061/HUSON3

Ciclo de vida:

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,378 €	0,38 €
	0,232 €	2,32 €
	0,221 €	11,05 €
	0,147 €	14,70 €
	0,11 €	55,00 €
	0,098 €	98,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,082 €	246,00 €
	0,074 €	444,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistores bipolares - BJT
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-1061D-3
Polaridad de transistor:	PNP
Configuración:	Single
Corriente del colector DC máxima:	2 A
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	45 V
Voltaje colector-base VCBO:	45 V
Voltaje emisor-base VEBO:	5 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	500 mV
Pd (disipación de potencia):	1.65 W
Producto fT para ganancia de ancho de banda:	145 MHz
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Corriente continua del colector:	1 A
Colector CC/Ganancia base hfe Min:	100
Ganancia de corriente DC hFE Máx.:	250
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Alias de parte #:	934669213115

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TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541290095

BC5xPAS-Q 1A Medium Power PNP Transistors

Nexperia BC5xPAS-Q 1A Medium Power PNP Transistors are encapsulated in an ultra-thin DFN2020D-3 (SOT1061D) leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. These Nxperia transistors are designed for high collector current capability, with the BC51PAS-Q offering a collector-emitter voltage (V_CEO) of -45V, the BC52PAS-Q at -60V, and the BC53PAST-Q at -80V. The devices feature exposed heat sinks for excellent thermal and electrical conductivity, suitable for linear voltage regulators, battery-driven devices, MOSFET drivers, high-side switches, power management, and amplifiers. Additionally, these transistors are qualified according to AEC-Q101 standards, ensuring reliability in automotive applications. The compact design reduces PCB area requirements and supports Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joints.

BJT DFN-Packaged Power Bipolar Transistors

Nexperia BJT DFN-Packaged Power Bipolar Transistors offer a small form factor that uses about 75% less board space and allows more design flexibility. These bipolar transistors feature reduced parasitic inductance and capacitance with an improved, low thermal resistance, enabling higher reliability. The BJT components are ideal for applications where space is at a premium. Applications include mobile devices, wearables, automotive sensors, and camera modules.