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MRF1K50NR5

Name: NXP MRF1K50NR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRF1K50NR5
Price: 335.57 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

841-MRF1K50NR5

Fabr. N.º:

MRF1K50NR5

Fabr.:

NXP Semiconductors

Descripción:

Transistores RF MOSFET Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

Hoja de datos:

MRF1K50NR5 Hoja de datos (PDF)

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	335,57 €	335,57 €
	289,50 €	2.895,00 €
	278,07 €	6.951,75 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 50)
	270,91 €	13.545,50 €
100	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Transistores RF MOSFET
RoHS:
Polaridad de transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id: corriente de drenaje continuo:	36 A
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	133 V
Frecuencia de operación:	1.8 MHz to 500 MHz
Ganancia:	23 dB
Energía de salida:	1.5 kW
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	OM-1230-4
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	NXP Semiconductors
Transconductancia delantera: mín.:	33.5 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	2 Channel
Pd (disipación de potencia):	2.941 kW
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRF1K50N
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	+ 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.7 V
Alias de parte #:	935318822578
Peso unitario:	5,281 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRF1K50N 1500W RF Power Transistors

NXP MRF1K50N and MRF1K50GNR5 1500W RF Power Transistors combine high RF output power, superior ruggedness, and thermal performance. These LDMOS devices feature an over-molded plastic package, offering up to 30% lower thermal resistance compared with the ceramic MRF1K50H. NXP's plastic packaging technology helps extract more performance from RF transistors while simplifying amplifier manufacturability thanks to tighter dimensional tolerances and better solder connections.