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AFT05MS006NT1

Name: NXP AFT05MS006NT1
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-AFT05MS006NT1
Price: 3.6 EUR
Availability: OutOfStock

Mouser REF:

841-AFT05MS006NT1

Fabr. N.º:

AFT05MS006NT1

Fabr.:

NXP Semiconductors

Ciclo de vida:

Descatalogado:

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Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Transistores RF MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Polaridad de transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id: corriente de drenaje continuo:	4.7 A
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Frecuencia de operación:	136 MHz to 941 MHz
Ganancia:	18.3 dB
Energía de salida:	6 W
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PLD-1.5W
Empaquetado:	Reel
Marca:	NXP Semiconductors
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	US
País de origen:	MY
Transconductancia delantera: mín.:	4.4 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	1 Channel
Pd (disipación de potencia):	125 W
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	AFT05MS006N
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	+ 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.2 V
Alias de parte #:	935311718515
Peso unitario:	280 mg