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MT46V64M8CY-5B:J

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Mouser REF:

340-122563-TRAY

Fabr. N.º:

MT46V64M8CY-5B:J

Fabr.:

Micron

Descripción:

DRAM DDR 512Mbit 8 60/108FBGA 1 CT

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micron Technology
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR
Tamaño de memoria:	512 Mbit
Anchura de bus de datos:	8 bit
Frecuencia máxima de reloj:	200 MHz
Empaquetado / Estuche:	FBGA-60
Organización:	64 M x 8
Tiempo de acceso:	700 ps
Tensión del suministro - Mín:	2.5 V
Tensión del suministro - Máx:	2.7 V
Temperatura operativa mínima:	0 C
Temperatura operativa máxima:	+ 70 C
Serie:	MT46V
Empaquetado:	Tray
Marca:	Micron
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad del paquete de fábrica:	1368
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro (máx.):	85 mA
Peso unitario:	4,605 g

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Atributos seleccionados: 0

                        
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Hoja de datos

MT46V64M8CY-5B:J Hoja de datos (PDF)

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320028
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Singapúr
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

SDRAM DDR

La memoria SRAM DDR de Micron es una tecnología pionera y revolucionaria que permite que las aplicaciones puedan transferir datos en los flancos de subida y bajada de una señal de reloj. Esto sirve para duplicar el ancho de banda y mejora el rendimiento ofrecido por las memorias SDRAM SDR. Para obtener este nivel de funcionalidad, Micron utiliza una arquitectura de captura previa 2n, donde el bus interno de datos tiene el doble de tamaño que el bus externo de datos, por lo que la captura de datos se puede llevar a cabo dos veces con cada ciclo de reloj.