SST25PF040C-40I/SN

Microchip Technology
579-SST25PF040C40ISN
SST25PF040C-40I/SN

Fabr.:

Descripción:

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 1.272

Existencias:
1.272 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
0,929 € 0,93 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: Flash NOR
RoHS:  
SMD/SMT
SOIC-8
SST25PF
4 Mbit
2.3 V
3.6 V
12 mA
SPI
40 MHz
512 k x 8
8 bit
Synchronous
- 40 C
+ 85 C
Tube
Marca: Microchip Technology
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: NOR Flash
Cantidad del paquete de fábrica: 100
Subcategoría: Memory & Data Storage
Peso unitario: 78 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8542326100
CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
JPHTS:
854232039
KRHTS:
8542321090
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
China
El país puede cambiar en el momento del envío.

SST25PF040C 4Mbit 2.3-3.6V SPI Serial Flash

Microchip Technology SST25PF040C 4Mbit 2.3-3.6V SPI Serial Flash features a four-wire, SPI-compatible interface. This allows a low pin-count package with less board space to lower system costs. The SST25PF040C devices are enhanced with an extended operating voltage of 2.3V to 3.6V. These devices are manufactured with proprietary, high-performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability than alternate approaches.