Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

MSCSM120HM31TBL2NG

Name: Microchip MSCSM120HM31TBL2NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-CSM120HM31TBL2NG
Price: 157.57 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

579-CSM120HM31TBL2NG

Fabr. N.º:

MSCSM120HM31TBL2NG

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL2

Hoja de datos:

MSCSM120HM31TBL2NG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:: No en almacén

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.

Introducir cantidad:

Mínimo: 4 Múltiples: 4

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	157,57 €	630,28 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	79 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	31 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.8 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	310 W
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Full Bridge
Tiempo de caída:	25 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	30 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Full Bridge SiC MOSFET Power Module
Tiempo típico de retraso de apagado:	50 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	30 ns