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MSC750SMA140SDT/RVAO

Name: Microchip MSC750SMA140SDT/RVAO
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MC750S140SDTRVAO
Price: 5.11 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

579-MC750S140SDTRVAO

Fabr. N.º:

MSC750SMA140SDT/RVAO

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

MOSFET de SiC MOSFET SIC 1400 V 750 mOhm TO-263-7 XL

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

MSC750SMA140SDT/RVAO Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	5,11 €	4.088,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-263-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.4 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	7 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	940 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	10.1 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	74 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Tiempo de caída:	8 ns
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	12 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	7 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns