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MSC360SMA120SDT/RM

Name: Microchip MSC360SMA120SDT/RM
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MC360SMA120SDTRM
Price: 7.16 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

579-MC360SMA120SDTRM

Fabr. N.º:

MSC360SMA120SDT/RM

Fabr.:

Microchip Technology

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	7,16 €	1.432,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-263-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	12 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	450 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	21 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	92 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6 ns
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	6 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	12 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns