Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

MSC360SMA120SCT/R

Name: Microchip MSC360SMA120SCT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC360SMA120SCTR
Price: 4.28 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

579-MSC360SMA120SCTR

Fabr. N.º:

MSC360SMA120SCT/R

Fabr.:

Microchip Technology

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Existencias:: No en almacén

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: Solicitar entrega estimada

Introducir cantidad:

Mínimo: 1300 Múltiples: 1300

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

Cant.	Precio unitario	Precio total
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1300)
	4,28 €	5.564,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PSMT-16
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	12 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	450 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	21 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	90 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	19 ns
Empaquetado:	Reel
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	15 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1300
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	16 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14 ns