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MSC035SMA070B4

Name: Microchip MSC035SMA070B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC035SMA070B4
Price: 9.82 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

494-MSC035SMA070B4

Fabr. N.º:

MSC035SMA070B4

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

MOSFET de SiC FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD

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Hoja de datos:

MSC035SMA070B4 Hoja de datos (PDF)

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	9,82 €	9,82 €
	9,06 €	271,80 €
	7,89 €	946,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	700 V
Id: corriente de drenaje continuo:	77 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	44 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.9 V
Qg (carga de compuertas):	99 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	283 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	US
País de difusión:	US
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	52 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	40 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	10 ns
Peso unitario:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.