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MSC017SMA120B

Name: Microchip MSC017SMA120B
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC017SMA120B
Price: 40.04 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

579-MSC017SMA120B

Fabr. N.º:

MSC017SMA120B

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247

Hoja de datos:

MSC017SMA120B Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 90

Fecha prevista: 08/06/2026
Plazo de producción de fábrica:: 4

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	40,04 €	40,04 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	113 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	22 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.7 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	455 W
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	13 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	51 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	29 ns

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: Estados Unidos

El país puede cambiar en el momento del envío.

MSC017SMA120x Silicon Carbide N-Ch Power MOSFETs

Microchip Technology MSC017SMA120x Silicon Carbide N-Ch Power MOSFETs increase the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost in high-voltage applications. The Microchip MSC017SMA120x SiC MOSFETs provide high efficiency to enable a lighter, more compact system with improved thermal capabilities and lower switching losses.