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MCP14A0602-E/SN

Name: Microchip MCP14A0602-E/SN
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MCP14A0602-E/SN
Price: 1.31 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

579-MCP14A0602-E/SN

Fabr. N.º:

MCP14A0602-E/SN

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

Controlador de puerta 6.0A Single Non-inverting MOSFET Driver, SOIC8

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Hoja de datos:

MCP14A0602-E/SN Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Producto:	MOSFET Gate Drivers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOIC-Narrow-8
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	6 A
Tensión del suministro - Mín:	4.5 V
Tensión del suministro - Máx:	18 V
Configuración:	Non-Inverting
Tiempo de establecimiento:	10 ns
Tiempo de caída:	10 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Serie:	MCP14A0601
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Características:	High Capacitive Load Drive, Short Delay Time
Tiempo de retraso de apagado máximo:	29 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo:	29 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	330 uA
Voltaje de salida:	25 mV, 4.475 V
Pd (disipación de potencia):	1 W
Tipo de producto:	Gate Drivers
Apagado:	No Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica:	100
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Peso unitario:	260 mg

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Tailandia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: Taiwán

El país puede cambiar en el momento del envío.

MCP14A0601 & MCP14A0602 6.0A MOSFET Drivers

Microchip MCP14A0601 & MCP14A0602 6.0A MOSFET Drivers are capable of providing up to 6.0A of peak current while operating from a single 4.5V to 18V supply. There are two output configurations available; inverting (MCP14A0601) and noninverting (MCP14A0602). These devices feature low shoot-through current, fast rise and fall times, and matched propagation delays, making them ideal for highswitching frequency applications.
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