ICPB1020-1-110I

Microchip Technology
579-ICPB1020-1-110I
ICPB1020-1-110I

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN DC-14 GHz 100W Discrete GaN HEMT

Ciclo de vida:
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Hoja de datos:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: FET de GaN
Restricciones de envío:
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RoHS:  
SMD/SMT
N-Channel
112 W
Marca: Microchip Technology
Voltaje máximo drenaje puerta: 80 V
Frecuencia operativa máxima: 14 GHz
Frecuencia operativa mínima: 0 Hz
Empaquetado: Bulk
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica: 5
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: GaN HEMT
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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USHTS:
8541290055
ECCN:
3A001.b.3.b.3

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