ICPB1005-1-110I

Microchip Technology
579-ICPB1005-1-110I
ICPB1005-1-110I

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN DC-14 GHz 25W Discrete GaN HEMT

Ciclo de vida:
Pedido especial de fábrica:
Obtenga un presupuesto para comprobar el precio actual, el plazo de entrega y los requisitos del pedido del fabricante.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.
Este producto puede requerir documentación adicional para las exportaciones a los Estados Unidos.

Disponibilidad

Existencias:
No disponible

Precio (EUR)

Pedir presupuesto

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: FET de GaN
Restricciones de envío:
 Este producto puede requerir documentación adicional para las exportaciones a los Estados Unidos.
RoHS:  
SMD/SMT
N-Channel
Marca: Microchip Technology
Configuración: Single
Voltaje máximo drenaje puerta: 80 V
Frecuencia operativa máxima: 14 GHz
Frecuencia operativa mínima: 0 Hz
Empaquetado: Bulk
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica: 5
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: GaN HEMT
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541290055
ECCN:
3A001.b.3.b.2
Clasificaciones de origen
País de origen:
No disponible
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de Ayuda.
Si tiene alguna pregunta acerca de un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, póngase en contacto con nosotros llamando al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.