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APTMC120HM17CT3AG

Mouser REF:

494-APTMC120HM17CT3A

Fabr. N.º:

APTMC120HM17CT3AG

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

Módulos MOSFET CC3186

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Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

APTMC120HM17CT3AG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
Restricciones de envío:	Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	SP3F-32
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	147 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	12.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Pd (disipación de potencia):	750 W
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Quad
Tiempo de caída:	30 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	19 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Switch Mode Power Supply
Tiempo típico de retraso de apagado:	50 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	21 ns
Vf - Tensión delantera:	1.5 V
Peso unitario:	110 g

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Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: No disponible
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.