APT45GP120B2DQ2G

Microchip Technology
494-APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G

Fabr.:

Descripción:
IGBT IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A TO-247 MAX
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Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 20

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
17,69 € 17,69 €
15,29 € 1.529,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
Si
T-Max-3
Through Hole
Single
1.2 kV
3.3 V
- 30 V, 30 V
113 A
625 W
- 55 C
+ 150 C
Tube
Marca: Microchip Technology
Corriente continua del colector Ic Máx.: 113 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 100 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 1
Subcategoría: IGBTs
Nombre comercial: POWER MOS 7 IGBT
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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