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WST4300D-GP4

Name: MACOM WST4300D-GP4
Brand: MACOM
SKU: 937-WST4300D-GP4
Price: 231.03 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

937-WST4300D-GP4

Fabr. N.º:

WST4300D-GP4

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

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100	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	84 V
Id: corriente de drenaje continuo:	4.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	110 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 2 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	- 2 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
Ganancia:	20 dB
Frecuencia operativa máxima:	6 GHz
Frecuencia operativa mínima:	DC
Energía de salida:	89.13 W
Producto:	GaN FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN, SiC
Tipo:	GaN on SiC Transistor

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.