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PXAE263708NB-V1-R2

Name: MACOM PXAE263708NB-V1-R2
Brand: MACOM
SKU: 941-PXAE263708NBV1R2
Price: 98.81 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-PXAE263708NBV1R2

Fabr. N.º:

PXAE263708NB-V1-R2

Fabr.:

MACOM

Descripción:

Transistores RF MOSFET 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

Hoja de datos:

PXAE263708NB-V1-R2 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	98,81 €	98,81 €
	83,01 €	830,10 €
	74,84 €	7.484,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	74,84 €	18.710,00 €
500	Cotización

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	Transistores RF MOSFET
RoHS:
Polaridad de transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	65 V
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	80 mOhms
Frecuencia de operación:	2.62 GHz to 2.69 GHz
Ganancia:	13.5 dB
Energía de salida:	400 W
Temperatura operativa máxima:	+ 225 C
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	HB2SOF-8-1
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	MACOM
Número de canales:	1 Channel
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 6 V to + 10 V

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

JFET y FET LDMOS FET de RF 5G

Los transistores con efecto de campo de unión RF (JFET) 5 G de MACOM y los semiconductores de óxido de metal de difusión lateral (LDMOS) FET son transistores de alta potencia mejorados térmicamente para la siguiente generación de transmisión inalámbrica. Estos dispositivos cuentan con tecnología GaN on SiC de transistor de alta movilidad de electrones (HEMT), adaptación de entrada, una alta eficiencia y un paquete de montaje en superficie mejorado térmicamente con una brida sin lengüetas. Los JFET y FET LDMOS de RF 5G de MACOM son ideales para su uso en aplicaciones de amplificadores de potencia celular multiprotocolo.