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CGH40006P

Name: MACOM CGH40006P
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH40006P
Price: 86.87 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-CGH40006P

Fabr. N.º:

CGH40006P

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt

Hoja de datos:

CGH40006P Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 120

Fecha prevista: 17/08/2026

480

Fecha prevista: 17/11/2026
Plazo de producción de fábrica:: 26

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	86,87 €	86,87 €
	67,76 €	677,60 €
	64,97 €	7.796,40 €
520	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	440109
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	120 V
Id: corriente de drenaje continuo:	750 mA
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	- 3 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	CGH40006P-TB
Ganancia:	13 dB
Frecuencia operativa máxima:	6 GHz
Frecuencia operativa mínima:	2 GHz
Energía de salida:	9 W
Empaquetado:	Tray
Producto:	GaN HEMTs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	40
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 10 V to 2 V
Peso unitario:	4,605 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

HEMT de GaN

Los HEMT (transistores de alta movilidad de electrones) de GaN (nitruro de galio) de Cree ofrecen una mayor densidad de potencia y anchos de banda más amplios en comparación con transistores de Si y GaAs. El GaN tiene propiedades superiores en comparación con el silicio o el arseniuro de galio, incluida una tensión de ruptura superior, mayor velocidad de desviación saturada de electrones y mayor conductividad térmica.
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