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CGH09120F

Name: MACOM CGH09120F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH09120F
Price: 550.78 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-CGH09120F

Fabr. N.º:

CGH09120F

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt

Hoja de datos:

CGH09120F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	550,78 €	550,78 €
	490,37 €	4.903,70 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	120 V
Id: corriente de drenaje continuo:	28 A
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	- 3 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	56 W
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
Ganancia:	21 dB
Voltaje máximo drenaje puerta:	28 V
Frecuencia operativa máxima:	2.5 GHz
Frecuencia operativa mínima:	300 MHz
Energía de salida:	20 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	20
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 10 V, 2 V

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor

MACOM CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. This module allows for a high degree of DPD correction to be applied, making it ideal for MC-GSM, WCDMA, and LTE amplifier applications. This MACOM transistor is housed in a ceramic/metal flange package.