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LSIC2SD065D08A

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Mouser REF:

576-LSIC2SD065D08A

Fabr. N.º:

LSIC2SD065D08A

Fabr.:

Littelfuse

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 650V/8A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Littelfuse
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-2 (TO-263-2)
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	8 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.8 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	40 A
Ir - Corriente inversa:	100 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	LSIC2SD
Cualificación:	AEC-Q101
Marca:	Littelfuse
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers

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Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

LSIC2SD GEN2 SiC Schottky Diodes

Littelfuse LSIC2SD GEN2 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide improved efficiency, reliability, and thermal management in various applications. The diodes have an operating junction temperature of +175°C maximum. The positive temperature coefficient of the diodes supports safe operation and ease of paralleling. Other features of the Littelfuse LSIC2SD GEN2 SiC Schottky Diodes include high-surge capability and negligible reverse recovery current. The switching behavior of the diodes is extremely fast and temperature-independent. Compared to Si bipolar diodes, these diodes provide dramatically reduced switching losses. LSIC2SD GEN2 SiC Schottky Diodes are ideal for EV charging stations, solar inverters, switch-mode power supplies, and more. These diodes are available in a variety of packages and voltage/current ratings, including 650V (6A to 40A) and 1200V (5A to 40A).

SiC MOSFETs

Littelfuse SiC MOSFETs are optimized for high-frequency, high-efficiency applications. These robust SiC MOSFETs offer low gate charges, low output capacitance, and low gate resistance for high-frequency switching. These devices also feature extremely low drain-source on-state resistance. The low gate charge and on-resistance of these MOSFETs translate into lower conduction and switching losses, respectively. Littelfuse offers in-house designed, developed, and manufactured SiC MOSFETs with extremely low gate charge and output capacitance, industry-leading performance, and ruggedness at all temperatures. Littelfuse SiC MOSFETs are available in a range of varieties, including 1200V in 80mΩ, 120mΩ, and 160mΩ versions.