IFN160CST3TR

JFET IFN160 de canal N, 50 V y bajo Ciss

Los JFET IFN160 de canal N, 50 V y bajo Ciss de InterFET  ofrecen una fuga de compuerta baja, una tensión de corte baja y una capacitancia de entrada (Ciss) baja. Estos JFET ofrecen una alta tolerancia a la radiación, pruebas personalizadas y opciones de binning. Los JFET IFN160 están disponibles en opciones de paquete con terminaciones sin proteger y SMT. Estos JFET incluyen el modelado SPICE de carcasa en borde (SPICE es el estándar de facto para simular el rendimiento de los circuitos). Los JFET IFN160 están concebidos para diseños de bajo nivel de ruido y son ideales para micrófonos de audio y preamplificadores. Estos JFET cumplen lo establecido en las normas RoHS, REACH y CMR. Entre las aplicaciones típicas se incluyen mezcladores de señal, conmutadores de alta impedancia, amplificadores de auriculares, filtros de audio, unidades de altavoces preamplificadores, equipos de ultrasonido, sistemas de radar y comunicación, y detección de radiación.